Back to top

APLICANDO O MOSFET DE FORMA A REDUZIR INDUTÂNCIAS E CAPACITÂNCIAS PARASITAS EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

Tipo de Trabalho 

Artigo

Este artigo propõe soluções aos fenômenos de Indutância e Capacitância Parasitas em Chaveamento aplicando o MOSFET. Dispositivos eletrônicos diversos, tais como: Computadores, Televisão, DVD Player ou qualquer outro aparato tecnológico que se utiliza de tecnologias envolvendo semicondutores está sujeito a este fenômeno, que pode ocasionar atrasos no processamento de Circuitos Lógicos e repiques prejudicando, assim, seu desempenho. Assim, este artigo desenvolve a análise do MOSFET abordando suas principais características em situações diversas, propondo modelamentos de seu comportamento em Circuitos de primeira e segunda ordem (Circuitos RL, RC e RLC) e soluções por meio de equações diferenciais. Desse modo, discutindo os parâmetros alcançados, verificou-se a viabilidade da solução. Assim sendo, ao concluir este estudo, alcançou-se a equação 32, que possibilita o dimensionamento adequado do MOSFET para determinado processamento e operação a fim de se evitar atrasos de propagação. Além de conhecer as principais causas e natureza do problema abordado, possibilitando a prevenção e meios de evita-lo.